Transphorm en electronica India 2023: soluciones SuperGaN de alto voltaje que impulsan el rendimiento de los vehículos eléctricos

La empresa destacará el cargador a bordo, el cargador rápido para bicicletas eléctricas, otros paneles de diseño para vehículos de 2 y 3 ruedas, soluciones de carga y automóviles eléctricos

Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN), líder mundial en semiconductores de potencia GaN robustos, anunció hoy que sus pantallas electrónicas en India resaltarán el liderazgo tecnológico de la compañía para los sistemas de energía de vehículos eléctricos de próxima generación. Los asistentes pueden visitar Transphorm en el pabellón 2, stand E2D31 durante el evento del 13 al 15 de septiembre en el Centro Internacional de Exposiciones de Bangalore.

Con un TAM global de GaN de 642 millones de dólares en 2023 (estimado), el mercado de movilidad/carga de vehículos eléctricos desde scooters y bicicletas eléctricas hasta autorickshaws, camiones y automóviles es reconocido como una industria óptima para beneficiarse del rendimiento. eficiencia y ventajas de precio que ofrece la conversión de energía GaN. Las innovaciones y los productos de Transphorm introducidos en el campo hasta la fecha incluyen una variedad de logros "primeros, mejores y únicos" y una hoja de ruta futura que posiciona a la empresa como el proveedor líder de dispositivos GaN robustos capaces de soportar los requisitos de los sistemas EV. Tales logros incluyen:

Los beneficios de la aplicación de vehículos eléctricos de la compañía se mostrarán a través de varios diseños de referencia y kits de evaluación. Estas herramientas de diseño demuestran las ventajas de la plataforma SuperGaN® para los sistemas de energía utilizados en vehículos de 2 y 3 ruedas, automóviles eléctricos, como cargadores a bordo/fuera de borda, cargadores de intercambio de baterías, cargadores de poste y más. Las demostraciones destacadas incluyen:

Una plataforma central, cruzando el espectro energético

Transphorm es la empresa líder en semiconductores de potencia GaN que se diferencia por la alta capacidad de fabricación, fácil diseño, fácil manejo y alta confiabilidad de su tecnología. Actualmente, la empresa admite la gama más amplia de requisitos de conversión de energía (de 45 W a más de 10 kW) en la más amplia gama de aplicaciones de energía. La cartera FET de Transphorm incluye dispositivos de 650 V con dispositivos de 1200 V en desarrollo. Estos dispositivos cuentan con certificación JEDEC y AEC-Q101, lo que los convierte en soluciones óptimas para adaptadores de corriente y fuentes de alimentación de computadoras hasta amplios UPS industriales y sistemas de movilidad de vehículos eléctricos.

Reúnase con nosotros

Para programar una reunión con Transphorm durante la feria, comuníquese con [email protected] o visite el stand de Transphorm, Hall 2, puesto E2D31.

Acerca de Transphorm

Transphorm, Inc., líder mundial en la revolución de GaN, diseña y fabrica semiconductores GaN de alto rendimiento y alta confiabilidad para aplicaciones de conversión de energía de alto voltaje. Transphorm, que cuenta con una de las carteras IP de Power GaN más grandes con más de 1000 patentes propias o con licencia, produce los primeros dispositivos semiconductores de GaN de alto voltaje con calificación JEDEC y AEC-Q101 de la industria. El modelo de negocio de dispositivos integrado verticalmente de la empresa permite la innovación en cada etapa de desarrollo: diseño, fabricación, dispositivo y soporte de aplicaciones. Las innovaciones de Transphorm llevan la electrónica de potencia más allá de las limitaciones del silicio para lograr más del 99% de eficiencia, un 50% más de densidad de potencia y un 20% menos de costo del sistema. Transphorm tiene su sede en Goleta, California y operaciones de fabricación en Goleta y Aizu, Japón. Para obtener más información, visite www.transphormusa.com. Síganos en Twitter @transphormusa y WeChat @ Transphorm_GaN.

La marca SuperGaN es una marca registrada de Transphorm, Inc. Todas las demás marcas comerciales son propiedad de sus respectivos dueños.

Ver la versión fuente en businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20230828434660/en/